磁控溅射物理气相沉积

磁控溅射物理气相沉积是多功能高压PVD系统,用于磁控溅射和多组分薄膜的热蒸发，用于批量晶圆物理气相沉积加工.
磁控溅射物理气相沉积可在加热至700℃的晶圆上溅射多组分层（金属、电阻层、ITO层等）,设计用于主动研发和小规模生产。*化后的高真空不锈钢反应器由固定源单元和升降顶盖组成。反应器的***新人体工程学设计配有提升机构，便于蒸发器单元和内部筛网的日常维护。

磁控溅射物理气相沉积特点
•可用于研发和小型生产的多功能真空沉积系统
•*化的系统人机工程学，操作和维护方便
•溅射几何（自下而上）允许***小化样品表面上的颗粒密度
•通过QCM、现场电阻测量等实现过程自动控制。
•高压不锈钢圆柱电抗器，顶部法兰提升，集成水冷
•∅200mm靶材或∅150mm靶材具有6个磁控管源的5个端口，任何系统配置中，一个端口可用于离子束源
•旋转木马式基板支架，可改变样品尺寸
•同一工艺的溅射晶圆大数量为5×∅200 mm、6∅150 mm和30片60×48 mm
•双面沉积时基板支架可能翻转180°的可能性（可选）
•2个靶材直径达∅200 mm的磁控管源和百叶窗，2个电源（DC和RF），基本配置中磁控管之间自动重新连接
•沉积前基底清洁用离子束源（能量20÷300 eV）
•3条带有自动气体流量控制器的燃气管线，包括防腐性能旁通管线
•工艺气体：Ar、H2、O2、N2
•能够安装现场电阻测量见证样品
•在特定溅射源下旋转木马定位的自动基板
磁控溅射物理气相沉积规格参数
工艺过程反应器中的极限压力:   不小于<5×10^-7
达到预处理真空的时间（<5×10^-6Torr）:   不超过25min
磁控管源的***大数量：5×∅200mm 或 6×∅150mm
离子束粒（离子能20~300eV): 可选配
衬底支架倾斜180度：  可选配
一次性处理晶圆数量：：5×∅200mm 或 6×∅150mm 或30x (60x48)mm
溅射薄膜的非均匀性： +/-2.5%  @200mm
沉积过程中晶圆旋转的速度范围:    0~20rpm
晶圆加热温度： ***高700°С
泵送系统性能：–涡轮分子泵，不小于1300l/s
                        –干式涡旋泵，不小于35m3/h
过程：自动化控制