霍尔效应测量系统

霍尔效应测量系统HL9900是高性能霍尔效应测试仪器系统，用于测量半导体中的电阻率、载流子浓度和迁移率测量。
该系统概念模块化,方便升级,适用于各种材料,包括硅和化合物半导体,具有低电阻率和高电阻率测量功能。
霍尔效应测量系统测量功能和应用
电阻率/电导率
移动性
散装/片状载体浓度
掺杂类型
霍尔系数
磁阻
垂直/水平阻力比
霍尔效应测量系统特点
Van der Pauw，霍尔bar和桥梁测量符合ASTM F-76标准
简单的探针系统可实现方便、快速的样品吞吐量
紧凑的台面设计
宽电流范围，包括自动电流设备，以***大限度地减少样品加热
用户定义的电场限制，以避免低温下的冲击电离效应
可选高阻抗缓冲放大器/电流源，可将薄层电阻率测量扩展至1011Ω/平方
霍尔效应测量系统规格参数
电流源HL9900
电流范围：100nA~19.9mA
电压：20V
输出阻抗：10^10欧姆
电压测量：
输入阻抗:10^10欧姆
输入电压工作范围：+/-6V
输入漏电流：20nA
电流输入电压泄露：0.8uV
测量模式：AC/DC