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型号和波段 |
SE200 (DUV-Vis) |
SE300 (Vis) |
SE450 (Vis-Nir) |
SE500 (DUV-Vis-Nir) |
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探测器类型 |
CCD或CMOS阵列 |
CCD或CMOS阵列 |
CCD或CMOS和InGaAs阵列 |
CCD或CMOS和InGaAs阵列 |
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波长范围 |
190-1100nm |
370-1100nm |
370-1700nm |
190-1700nm |
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波长数据点 |
测量波长范围和波长数据点均可订购时选配（数据点仅受分辨率限制） | |||
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波长分辨率 |
0.01-3nm |
0.01-3nm |
0.01-3nm |
0.01-3nm |
| 光学选配 | 根据应用或客户偏*进行步进扫描或旋转偏振器/分析仪/减速器；使用PCSA或PSCA配置，可以测量完整的360度模型；还提供PCSCA双减速器配置，用于16个全元件（4x4）Mueller Matrix测量 | |||
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数据采集时间 |
100ms-10s,用户可定义 |
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入射角范围 |
20-90度 |
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入射角分辨率 |
5度-手动型调整配置 |
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偏光器件 |
起偏器，检偏器等 |
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光斑尺寸 |
1-5mm孔径可调 |
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光源 |
(D2+TH)/Xe |
TH |
TH |
(D2+TH)/Xe |
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灯泡寿命 |
4000 hrs. |
10000 hrs. |
10000 hrs. |
4000 hrs. |
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可测薄膜厚度 |
***高30 µm |
20nm-50 µm |
20nm-50 µm |
***高50 µm |
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测厚分辨率 |
< 1Å or 0.1% (with 200 Å thick SiO2onSi Standard, precision better than 0.2 Å) |
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折射率精度 |
0.0001 |
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测厚精度 |
0.25% |
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| 系统角度精度 |
UV-Vis Range: Psi 45° ± 0.05°, Delta 0° ± 0.1° ; NIR Range: Psi 45° ± 0.1°, Delta 0° ± 0.2° |
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样品台 |
黑色阳极氧化铝合金真空吸盘，通常直径为150x150mm或200mm；其他尺寸（如450mm）可根据要求或基于自动映射行程范围进行配置 | |||
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Z-位移台 |
精密Z台，典型行程范围为12mm，用于样品高度调节，电动Z台是可选的，行程范围可定制高达50mm（~2英寸） | |||
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Tilting倾斜校准 |
三点倾斜手动对准机构通常配备非标测工具，电动自动倾斜可作为选项；对于自动测绘工具，提供无需进一步倾斜调整的预调平平台。 | |||
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软件 |
标配 |
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接口 |
USB |
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操作系统 |
Both 32bit and 64 Bit, Win XP, 7, 8, 10,11 |
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计算机配置建议 |
Intel i5, 500 GB space, 8GB RAM; 24” LCD Monitor or equivalent Laptop |
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供电要求 |
110– 240 VAC /50-60Hz, 3A |
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平台 |
桌面式或原位配置 |
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重量/尺寸 |
~ 75kg / 38(L)x22(D)x34(H)” |
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