晶圆晶锭寿命测定仪是为晶圆晶锭测量少子寿命、光电导率、电阻率和样品平整度及p/n检查任务设计的晶圆晶锭少子寿命测试仪器。采用非接触式检测和无损成像(μPCD /MDP(QSS))设计。
晶圆晶锭寿命测定仪应用
单晶晶圆寿命,多晶晶圆寿命和晶锭寿命测量
适合硅,化合物半导体,氧化物,宽禁带,钙钛矿材料
[ CdTe | InP | ZnS | SiC | GaAs | GaN | Ge ]
晶圆晶锭寿命测定仪规格参数
***佳产量:>240块/天或>720片/天
测量速度:对于156x156x400mm标准晶锭,<4分钟
良品率提升:1mm切割标准为156x156x400mm标准晶锭
质量控制:用于过程和材料的质量监控,如单晶硅或多晶硅
沾污检测:起源于坩埚和生产设备的金属(Fe)
可靠性:模块化和坚固耐用的工业仪器,*高可靠性,运行时间> 99%
可重复性:> 99.5%
电阻率:可做面扫描,不需经常校准