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单晶多晶硅片寿命测试仪
  • 单晶多晶硅片寿命测试仪_晶圆寿命测试仪器MDPMap为测量少子寿命研发-孚光精仪

单晶多晶硅片寿命测试仪

单晶多晶硅片寿命测试仪是专用为晶圆品质检验,测量少子寿命,测量光电导率和电阻率等研发的晶圆寿命测试仪器
型号:
FPFRE-MDPMap
品牌:
价格:
¥0.00
类别:
在线客服邮箱 info@felles.cn 服务热线021-51300728 您也可网站留言或在线客服留言垂询,孚光精仪-领先的进口精密仪器服务商欢迎您!

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单晶多晶硅片寿命测试仪是专用为晶圆品质检验,测量少子寿命,测量光电导率和电阻率等研发的晶圆寿命测试仪器。
单晶多晶硅片寿命测试仪MDPmap自动识别样品,参数设置可以使该仪器适应各种样品,包括从生长的晶圆到高达95%的金属化晶圆之间不同制备阶段的各种外延片和晶圆片。
单晶多晶硅片寿命测试仪具有高度的灵活性,它允许集成多达4台激光器,用于从超低注入到高注入的与注入水平相关的寿命测量,或者通过使用不同的激光波长提取深度信息。
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单晶多晶硅片寿命测试仪
灵敏度:对外延工艺监控和不可见缺陷检测,具有可视化测试的最高分辨率
测量速度:6英寸硅晶圆片,1mm分辨率 ,小于5分钟
寿命测试范围: 20纳秒到几十毫秒
沾污检测:源自坩埚和生长设备的金属(Fe)污染
测量能力:从初始切割的晶圆片到所有工艺加工的样品
灵活性:允许外部激光通过触发器,与探测模块耦合
可靠性: 模块化和紧凑台式仪器,更高可靠性,正常运行时间> 99%
重现性: > 99.5%
电阻率:无需时常校准的电阻率面扫描
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单晶多晶硅片寿命测试仪规格参数

样品尺寸

5~300mm(300mm为标配,可根据需求提升至450mm)

寿命范围

20ns到几毫秒

电阻率

0.2 - 10^3 Ohm cm P/N

材质

硅晶圆,外延层,部分或完全加工晶圆,化合物半导体等

测量属性

少数载流子寿命,光电导性, μ-PCD/MDP (QSS)

激励源

可选四种不同波长(355nm—1480nm),默认980nm

大小

680 x 380 x 450 mm, 重量: 65 kg

电源要求

100-250V,50/60 Hz, 5A

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