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  • 晶圆晶锭寿命测定仪是为晶圆晶锭测量少子寿命、光电导率、电阻率和样品平整度及p/n检查任务设计的晶圆晶锭少子寿命测试仪器。采用非接触式检测和无损成像(μPCD /MDP(QSS))设计。
  • 微波探测光致电流瞬态谱仪采用微波技术探测材料的光生电流瞬态光谱值,非常适合温度依赖的少子寿命测量和半导体界面陷阱。
  • 单点少子寿命测量仪系统是经济型晶圆寿命测量仪器,对不同制备阶段的硅材料电学参数进行表征。单点少子寿命测量仪可测量小于156mm厚度的晶锭,没有自动化配置,手工操作。可增配电阻率测试功能,适合硅,晶圆片和晶锭寿命测量。 
  • 单晶多晶硅片寿命测试仪是专用为晶圆品质检验,测量少子寿命,测量光电导率和电阻率等研发的晶圆寿命测试仪器
  • Suns-Voc后扩散测试仪是Suns-Voc后扩散过程控制的理想仪器,适合用于浆料烧结优化和过程控制。
  • 太阳能电池I-V测试仪能够高精度高效率地测量太阳能I-V曲线和Suns-Voc数据,可高精度测量传统太阳能电池和背接触太阳能电池。
  • 这款温度型少子寿命测试仪是为25℃~200℃范围内晶圆少数载流子复合寿命测量设计的温度决定型少子寿命测定仪器。温度型少子寿命测试仪采用半标准准稳态光电导寿命测量方法QSSPC技术和瞬态光电导衰退技术测量在10ns~10ms范围的少子寿命。
  • 这款晶圆少子寿命测量仪是专业为晶圆少数载流子复合寿命测量设计的少子寿命测试仪器。晶圆少子寿命测量仪采用半标准准稳态光电导寿命测量方法QSSPC技术和瞬态光电导衰退技术测量在10ns~10ms范围的少子寿命。
  • 硅锭寿命测量仪是精确的非接触式测量本体寿命的仪器,适合任意生长硅锭表面任意曲率半径硅锭测量寿命。也适合单晶硅硅锭和多晶硅硅锭寿命测量。
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