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高压PVD系统
  • 高压PVD系统配置适合在晶圆溅射金属膜_磁性材料_多组分氧化物-孚光精仪

高压PVD系统

这款高压PVD系统配置适合在晶圆溅射金属膜,磁性材料,多组分氧化物,得益于它灵活的配置和特殊的晶圆加热器设计,PVD可以在温度***高900℃的衬底上溅射金属膜层和磁性材料,***大容纳晶圆直径为150mm,订制后***大可容纳200mm直径晶圆。
型号:
FPSEM-STE-MS150
品牌:
价格:
¥0.00
类别:
在线客服邮箱 info@felles.cn 服务热线021-2279 9028 您也可网站留言或在线客服留言垂询,孚光精仪-**的进口激光精密科学仪器服务商欢迎您!
  • 商品详情
这款高压PVD系统配置适合在晶圆溅射金属膜,磁性材料,多组分氧化物,得益于它灵活的配置和特殊的晶圆加热器设计,PVD可以在温度***高900℃的衬底上溅射金属膜层和磁性材料,***大容纳晶圆直径为150mm,订制后***大可容纳200mm直径晶圆。
高压PVD系统特点
•***多3个磁控管源,靶材为∅76,2 mm
•过程气体:Ar、H2、O2、N2
•磁控管源位于柔性支架上,可聚焦到单点(共焦几何结构),以提供共沉积模式
•每个磁控管源的主快门或单独快门(可选)
•可能安装电子束源和/或热阻蒸发器以及用于基板清洁的离子源(可选)
•多功能真空沉积系统,可配备各种PVD源和高温晶圆加热
•用2-3个磁控管沉积多组分薄膜
•从2-3个磁控管源同时溅射相同的目标材料,以在∅100-150 mm基板上提供***大的均匀性
•可能升级多达7个磁控管源,以便使用旋转式晶圆安装逐个沉积材料
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高压PVD系统规格参数
工艺过程反应器中的极限压力:   不小于<1×10-7(<1×10-8 in UHV version)
达到预处理真空的时间(<5×10^-6Torr)在TMP 550 l/sand,干涡旋泵35m3/h时:   不超过2min
沉积过程中晶圆旋转的速度范围:    0~20rpm
晶圆加热温度: ***高900°С
泵送系统性能:–涡轮分子泵,不小于500l/s
                        –干式涡旋泵,不小于35m3/h

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