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电子束蒸发系统
  • 电子束蒸发系统_电子束镀膜蒸发系统适合200mm晶圆镀膜-孚光精仪

电子束蒸发系统

电子束蒸发系统是按照“从实验室到工厂”的方法设计的电子束镀膜蒸发系统,既适用于密集的研发活动,也适用于中试生产。考虑到“提离”工艺的具体特点,该电子束蒸发系统适用于直径不超过200mm的单晶片以及安装在球形型材支架上的3×∅3“或6×∅2”晶片的沉积。
型号:
FPSEM-STE-EB71
品牌:
价格:
¥0.00
类别:
在线客服邮箱 info@felles.cn 服务热线021-2279 9028 您也可网站留言或在线客服留言垂询,孚光精仪-**的进口激光精密科学仪器服务商欢迎您!
  • 商品详情
电子束蒸发系统是按照“从实验室到工厂”的方法设计的电子束镀膜蒸发系统,既适用于密集的研发活动,也适用于中试生产。
考虑到“提离”工艺的具体特点,该电子束蒸发系统适用于直径不超过200mm的单晶片以及安装在球形型材支架上的3×∅3“或6×∅2”晶片的沉积。
电子束蒸发系统特点
•工艺室由不锈钢制成,配有ConFlat密封件、集成壁水冷却和基于500 l/s强大离子泵的干式泵送系统
•系统设计在微波电子用半导体器件生产中得到了很*的验证
•采用专门开发的“掩模”技术,厚度不均匀性在直径达200 mm的基板支架上小于±2.5%
•通过在350-500mm范围内改变“基板到蒸发器”的距离来*化材料消耗的能力;特别是,工作距离为350 mm时,黄金消耗量为3÷4 g/μm
•基于GaAs/InGaAs/AlGaAs和GaN/AlGaN的HEMT的接触电阻分别为0.1~0.25和0.3~0.5 Om×mm(在STE RTA100系统中接触退火后)
•开发了基于ITO薄膜的p-GaN透明接触
•铝沉积速率不低于60Å/s
•W沉积速率不小于1Å/s
从支架中心到钛层∅180 mm(3×∅3''晶圆)的厚度分布,在STE EB71(旋转,“掩模”技术)获得。
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电子束蒸发系统规格参数
沉积腔体内剩余压力:   <5×10-7Torr
达到预处理真空的时间(<5×10^-8Torr):   不超过20min
离子束(离子能20~300eV): 可选配
加热处理晶圆数量::500 (900可选)
沉积腔烘培温度:   150℃
同事处理晶圆: 6个@2英寸,3个@3英寸,1个@∅100mm,∅150mm,∅200mm
电子束蒸发阴极功率:6KW
加速电压:8KV
 

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