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  • 这款晶圆热退火炉是半导体晶片惰性气氛快速热退火系统,适合晶圆的最大直径为100mm,晶圆通过上部快速检修门手动装入腔室,并放置在热补偿石墨台上。加热器系统基于线性卤素灯,位于炉体下方。这种设计确保了均匀的晶圆加热,沿晶圆表面具有红外发射的非均匀吸收(例如,具有成形金属拓扑结构的晶圆)。
  • 这款半导体经晶圆热处理系统是为半导体晶圆在可控气体、真空、氧化或还原气氛中的晶圆高温处理系统,可对晶圆真空退火,氧气退火处理。 铝室的特殊设计允许在极高温度(高达1300°С)下进行热退火,并结合长时间退火(高达60分钟)。
  • 等离子体增强化学气相沉积系统是采用PECVD技术专业为介质膜镀膜设计的化学气相沉积设备。
  • 电感耦合等离子体化学气相沉积系统是为等离子化学蚀刻系统应用设计的反应离子蚀刻RIE和ICPCVD系统,将反应离子刻蚀RIE和电感耦合等离子体刻蚀ICP两种等离子体化学刻蚀模式相结合.
  • 电子束蒸发系统是按照“从实验室到工厂”的方法设计的电子束镀膜蒸发系统,既适用于密集的研发活动,也适用于中试生产。考虑到“提离”工艺的具体特点,该电子束蒸发系统适用于直径不超过200mm的单晶片以及安装在球形型材支架上的3×∅3“或6×∅2”晶片的沉积。
  • 磁控溅射物理气相沉积是多功能高压PVD系统,用于磁控溅射和多组分薄膜的热蒸发,用于批量晶圆物理气相沉积加工.
  • 这款高压PVD系统配置适合在晶圆溅射金属膜,磁性材料,多组分氧化物,得益于它灵活的配置和特殊的晶圆加热器设计,PVD可以在温度最高900℃的衬底上溅射金属膜层和磁性材料,最大容纳晶圆直径为150mm,订制后最大可容纳200mm直径晶圆。
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