BBO普克尔盒是采用eksma optics进口BBO晶体制作的BBO电光Q开关和BBO电光调制器,非常适合高重复频率或高功率激光应用,光学质量*，双折射应力低，消光比高，波前畸变小，在紫外到近红外波段的光学吸收小，因而透过率高。
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BBO普克尔盒特点：
BBO普克尔盒光谱范围250-1100nm
高消光比
微弱的压电反应
高损伤阈值
高平均功率
BBO普克尔盒单晶体/双晶体配置任选
BBO普克尔盒和BBO电光Q开关在1-50KHz的重复频率范围内表现出可以忽略的压电反应。
BBO普克尔盒,BBO电光Q开关与激光脉冲选通系统匹配良*，非常应用于再生激光放大器的种子注入、选通、斩波和偏振旋转等应用。BBO普克尔盒的一个*点是它不会带来明显的压电效应。
BBO普克尔盒,BBO电光Q开关所用的BBO晶体的有用光学波段是250-2100nm,在350-1100nm波段增透镀膜后的光学透过率可达98.5％。单块晶体的典型消光比可达1000：1@633nm（>30db）,单次波前畸变<1/8波长@633nm,在较宽的温度范围内表现出*异的热稳定性。BBO晶体表现出轻微的吸湿性，因此必须对其密闭使用，当然，在干燥，洁净的空间内，您可以大胆地去使用。
BBO普克尔盒,BBO电光Q开关的激光损伤阈值与RTP相当，大约为850MW/cm2 @10ns, 1064nm.对于激光脉冲的拾取/脉冲选通应用而言，当脉宽小于100皮秒时，损伤阈值大约为10GW/cm2.
标准BBO普克尔盒订购信息
| 订购代码 |
通光孔径 |
四分之一波电压 |
激光波长 |
应用 |
| PCB3S-C-1064 |
ø 2.5 mm |
<3.5 kV DC |
1064 nm |
掺Nd钕高功率激光 |
| PCB3D-C-1064 |
ø 2.5 mm |
<1.8 kV DC |
1064 nm |
掺Nd钕高功率激光 |
| PCB3S/25-C-1064 |
ø 2.5 mm |
<3.0 kV DC |
1064 nm |
掺Nd钕高功率激光 |
| PCB3D/25-C-1064 |
ø 2.5 mm |
<1.5 kV DC |
1064 nm |
掺Nd钕高功率激光 |
| PCB4S-C-1064 |
ø 3.5 mm |
<4.6 kV DC |
1064 nm |
掺Nd钕高功率激光 |
| PCB4D-C-1064 |
ø 3.5 mm |
<2.3 kV DC |
1064 nm |
掺Nd钕高功率激光 |
| PCB4Q-C-1064 |
ø 3.5 mm |
<2 x 1.3 kV DC |
1064 nm |
掺Nd钕高功率激光 |
| PCB6.3S-C-1064 |
ø 5.8 mm |
<7.5 kV DC |
1064 nm |
掺Nd钕高功率激光 |
| PCB6.3D-C-1064 |
ø 5.8 mm |
<3.8 kV DC |
1064 nm |
掺Nd钕高功率激光 |
BBO Pockels Cells for 1020-1040 nm range
| 订购代码 |
通光孔径 |
四分之一波电压 |
激光波长 |
典型应用 |
| i PCB3S-C-1030 |
ø 2.5 mm |
<3.4 kV DC |
1030 nm |
掺Yb飞秒激光 |
| i PCB3D-C-1030 |
ø 2.5 mm |
<1.7 kV DC |
1030 nm |
掺Yb飞秒激光 |
| i PCB3S/25-C-1030 |
ø 2.5 mm |
<2.9 kV DC |
1030 nm |
掺Yb飞秒激光 |
| i PCB3D/25-C-1030 |
ø 2.5 mm |
<1.4 kV DC |
1030 nm |
掺Yb飞秒激光 |
| i PCB4S-C-1030 |
ø 3.5 mm |
<4.5 kV DC |
1030 nm |
掺Yb飞秒激光 |
| i PCB4D-C-1030 |
ø 3.5 mm |
<2.2 kV DC |
1030 nm |
Yb host femtosecond lasers |
| i PCB4Q-C-1030 |
ø 3.5 mm |
<2 x 1.2 kV DC |
1030 nm |
Yb host femtosecond lasers |
| i PCB6.3S-C-1030 |
ø 5.8 mm |
<7.4 kV DC |
1030 nm |
Yb host femtosecond lasers |
| i PCB6.3D-C-1030 |
ø 5.8 mm |
<3.75 kV DC |
1030 nm |
Yb host femtosecond lasers |
BBO Pockels Cells for 770-820 nm range
| 订购代码 |
通光孔径 |
四分之一波电压 |
中心波长 |
典型应用 |
| i PCB3S-C-800 |
ø 2.5 mm |
<2.6 kV DC |
800 nm |
Ti:Sapphire钛宝石飞秒激光 |
| i PCB3D-C-800 |
ø 2.5 mm |
<1.3 kV DC |
800 nm |
Ti:Sapphire 钛宝石飞秒激光 |
| i PCB4S-C-800 |
ø 3.5 mm |
<3.4 kV DC |
800 nm |
Ti:Sapphire钛宝石飞秒激光 |
| i PCB4D-C-800 |
ø 3.5 mm |
<1.7 kV DC |
800 nm |
Ti:Sapphire钛宝石飞秒激光 |
| i PCB4Q-C-800 |
ø 3.5 mm |
<2 x 0.9 kV DC |
800 nm |
Ti:Sapphire femtosecond lasers |
| i PCB3S/25-C-800 |
ø 2.5 mm |
<2.1 kV DC |
800 nm |
Ti:Sapphire femtosecond lasers |
| i PCB3D/25-C-800 |
ø 2.5 mm |
<1.1 kV DC |
800 nm |
Ti:Sapphire femtosecond lasers |
通用KD*P普克尔盒
