| 烘烤后生长室的***终真空度,Torr | <5×10-11 |
| ***大基板直径,mm | 76.2 (3″) |
| 3″基板的厚度和成分不均匀度,% | ±1 |
| 生长机械手加热元件的设计 | PBN/PG/PBN |
| 旋转时的***大基板温度,℃: –对于A3B5/A2B6化合物,不少于 –对于A3N化合物,不少于 |
900 1200 |
| 制备室加热阶段基板脱气的***高温度,℃ | 650(III氮化物版本为1100) |
| 生长室烘烤温度,不低于,℃ | 200 |
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