烘烤后生长室的***终真空度,Torr | <5×10-11 |
***大基板直径,mm | 100 |
3″基板的厚度和成分不均匀度,% | ±1 |
生长机械手加热元件的设计 | PBN/PG/PBN |
***大基板表面温度,℃ | 1200 |
生长室压力,Torr: –基板温度为970°С,氨流量为400 sccm –基底温度为1200°С,氨流量为100 sccm –基底温度为500°С,氨流量为1000 sccm |
<1×10-5 <5×10-6 <1×10-5 |
生长几何学 | 可调,“源到基片”距离135-210 mm |
集成分析 | RHEED、BFM(可选)、RGA、激光干涉仪、红外高温计 |
制备室中基板退火的***高温度,不低于,℃ | 1100 |
***大氨工作流量,sccm | 100 |
生长室的烘烤温度,不低于,℃ | 200,无热点形成 |
工艺过程自动化 | 操作员通过控制界面进行手动控制或通过配方执行工艺 |