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III族氮化物分子束外延系统
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III族氮化物分子束外延系统

这款III族氮化物分子束外延系统专业为A3N材料生长设计的MBE设备,适合氨气高温下制备生长A3N半导体材料,提供非常广泛的可用生长参数(有效氮通量、衬底温度、生长过程中的真空度)。III族氮化物分子束外延系统设计在衬底上提供极高的温度(>1200℃)以及在长生长周期中加热阶段的可靠工作。利用氨作为活性氮源,可以生长出高质量、厚的AlN/AlGaN缓冲层。这项技术的结果是生长出位错密度极低的活性层,为分子束外延(MBE)创造了记录。
型号:
FPSEM-STE3N
品牌:
价格:
¥0.00
类别:
在线客服邮箱 info@felles.cn 服务热线021-2279 9028 您也可网站留言或在线客服留言垂询,孚光精仪-**的进口激光精密科学仪器服务商欢迎您!

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这款III族氮化物分子束外延系统专业为A3N材料生长设计的MBE设备,适合氨气高温下制备生长A3N半导体材料,提供非常广泛的可用生长参数(有效氮通量、衬底温度、生长过程中的真空度)。III族氮化物分子束外延系统设计在衬底上提供极高的温度(>1200℃)以及在长生长周期中加热阶段的可靠工作。利用氨作为活性氮源,可以生长出高质量、厚的AlN/AlGaN缓冲层。这项技术的结果是生长出位错密度极低的活性层,为分子束外延(MBE)创造了记录。
III族氮化物分子束外延系统系列有两种(STE3N2)和三种(STE3N3)基本类型,配备有缓冲准备室。除了NH3注入器外,III族氮化物分子束外延系统还可能配备氮等离子体源(可选),用于生长InGaNInAlNInAlN的活性层藻类:MgIn与氨水混合。
III族氮化物分子束外延系统采用衬底支架和生长操纵器的加热台的**设计,用于III氮化物生长的所有类型衬底(蓝宝石、SiCSiAlN)提供了非常高的加热均匀性。允许***大衬底直径100mm,用于基础和应用研发以及基于III型氮化物的高质量外延片的试生产。
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III族氮化物分子束外延系统主要特点:
•特殊的**设计和经批准的生长反应器,在NH3环境和极端基质温度下提供关键系统组件的长期可靠运行
•超大液氮冷冻板,用于有效的氨气泵送,在高NH3负荷下提供连续生长
•**铝源,特殊设计,延长使用寿命,在氨气环境下提供超过2μm/hAlN生长速率,无金属蠕变
•能够生长质量与在不匹配衬底上生长的MOCVD层相当的GaN外延层
•在系统基本配置中对生长过程进行现场监测的所有必要工具
•获得**的基板支架设计,在整个晶圆上提供高温均匀性
•高温生长操纵器,在不低于1200°С的生长温度下提供高质量AlN层的连续生长
•在210-135 mm范围内改变“源-基”距离的能力,以使用不同类型的电池和晶片OD*化均匀性
STE3N2双腔型紧凑型“封装外形”
•安装期间的有效技术支持,包括基本工艺转移
•简单的系统操作和定期的技术维护
III族氮化物分子束外延系统主要选项:
•准备室,带有用于基板支架(7个)和脱气台的存储盒,原子氢源专用端口
•额外的渗出细胞(515253560 cc的坩埚)
•附加PID调节器电源单元
•射频等离子体氮源,带有带MFC的氮气供应管线
SiH4气体喷射器和带MFC的气体供应管线
Bayard-Alpert型束流监测器(BFM
•在涡轮泵中提供额外的原子基底,以及分子泵制备
•带电源装置的钛升华泵
•额外的基板支架,包括用于非标准尺寸样品的适配器
•系统运行的起始材料(GaAlInNH3N2SiMg、钛金属化蓝宝石晶片等)
•基于相分离器的液氮供应系统
•额外的备件和附件套件
III族氮化物分子束外延系统参数
烘烤后生长室的***终真空度,Torr <5×10-11
***大基板直径,mm 100
3″基板的厚度和成分不均匀度,% ±1
生长机械手加热元件的设计 PBN/PG/PBN
***大基板表面温度,℃ 1200
生长室压力,Torr
–基板温度为970°С,氨流量为400 sccm
–基底温度为1200°С,氨流量为100 sccm
–基底温度为500°С,氨流量为1000 sccm

<1×10-5

<5×10-6

<1×10-5 
生长几何学 可调,“源到基片”距离135-210 mm
集成分析 RHEEDBFM(可选)、RGA、激光干涉仪、红外高温计
制备室中基板退火的***高温度,不低于,℃ 1100
***大氨工作流量,sccm 100
生长室的烘烤温度,不低于,℃ 200,无热点形成
工艺过程自动化 操作员通过控制界面进行手动控制或通过配方执行工艺



 

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