三腔室分子束外延系统_异质结材料MBE生长设备带有三个MBE分子束外延生长腔室-孚光精仪

三腔室分子束外延系统

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三腔室分子束外延系统是带有三个MBE分子束外延生长腔室的异质结材料MBE生长设备,可用于在高达∅100mm的衬底上以及三个2英寸以上衬底上一次精确生长外延层,获得极*的厚度和均匀性能。
三腔室分子束外延系统使用PA-МВЕ和NH3-MBE特殊型号的MBE生长设备,可生长InAlGaAsSb或InGaAlN外延异质结构。
在使用其他制造商的扩散池时，由于改变了“源到衬底”的距离（晶圆和加热器同时进行独特的垂直移动），因此可以进行额外的均匀性*化。
三腔室分子束外延系统是一个三室超高压系统，包括单独泵送的生长室、用于预生长准备的缓冲/放气室和负载锁定室。所有腔室通过真空门和普通的半自动基板转移系统连接。生长过程由基于原有软件的自动化系统控制。它允许控制过程手动或在自动模式下使用编程配方。
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三腔室分子束外延系统基本配置：
•具有垂直生长几何结构的生长室，通过离子/低温泵（用于常规III Vs）或TMP/C Ryopump（用于III氮化物）和钛升华泵进行泵送
•10×63CF孔，用于带百叶窗的渗出池，1个中心63CF孔和***多3×40CF无百叶窗的外部孔，用于V组材料阀门裂解器或气源；红外高温计或激光干涉测量孔
•通过生长室上的几个视口可以看到所有渗出细胞孔
•单个液氮冷冻板，有效包围生长体积（NH3-MBE生长操纵器的附加冷冻板）
•基于PBN/PG/PBN的生长机械手加热元件，具有高均匀性和快速上下动态
•一套分子源，包括5个渗出细胞和V组的源（带阀裂解器、氮等离子体源或氨注入器）
•***高基板温度-不低于900°С（NH3-MBE不低于1200°С）
•现场监测工具：RHEED、红外高温计、RGA和激光干涉仪（用于III氮化物生长）
•准备室，带有用于基板支架（7个）和晶片脱气台的存储盒，原子氢源专用端口
•带储物盒的装载锁室，用于基板支架（8个），带有配备手套箱的快速检修门
•一套基板支架
•适当的超高压仪表
•烘烤系统（高达200°C），无热点形成
•控制电子设备
•基于原始软件的过程控制系统
三腔室分子束外延系统主要*势：
•“实验室到工厂”的概念，允许开展从基础研究到异质结构试生产的活动
•铝（冷唇）专用渗出细胞，操作稳定，镓（热唇）提供低椭圆形缺陷密度
•在系统基本配置中对生长过程进行现场监测的所有必要工具
•特别设计的生长操纵器，提供高温均匀性和加热/冷却速率动态
•安装期间的有效技术支持，包括基本工艺转移
•简单的系统操作和定期的技术维护
三腔室分子束外延系统参数：

烘烤后生长室的***终真空度，Torr	<5×10^-11
***大基板直径，mm	100或3×2″block
100mm晶圆的厚度和复合不均匀度，%	±1
“源到基片”距离，mm	135÷210
渗出细胞百叶窗设计	基于磁耦合旋转运动的无冲击驱动旋转机构
百叶窗叶片材料	钽、钼或PBN（可选）
生长机械手加热元件的设计	PBN/PG/PBN
生长操纵器的***高工艺温度，不低于，℃	900 （NH₃-MBE为1200）
准备室中基板脱气温度，不低于，℃	650 （III氮化物为1100）
生长室烘烤温度，不低于，℃	200
离子泵容量，不小于，l/s： –生长室（III-N的TMP） –准备室 –负载锁定	800 (2000) 500 300

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