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锗光电二极管
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锗光电二极管

这款锗光电二极管采用高纯锗晶体制作,锗光电管作为锗光电探测器使用具有良好的线性和比InGaAs探测器更宽的响应光谱范围。波长范围800-1800nm。
型号:
FPBEN-DH-Ge
品牌:
价格:
¥0.00
类别:
在线客服邮箱 info@felles.cn 服务热线021-51300728 您也可网站留言或在线客服留言垂询,孚光精仪-领先的进口精密仪器服务商欢迎您!

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这款锗光电二极管采用高纯锗晶体制作,锗光电管作为锗光电探测器使用具有良好的线性和比InGaAs探测器更宽的响应光谱范围。
锗光电二极管带有一个直径为5mm的有源区锗光电二极管(800-1800nm)在光伏模式下工作。该探测器产生的光电流最好用487皮安计或477前置放大器和496锁定放大器测量。
锗光电二极管还可提供安装法兰方便安装耦合。
锗光电二极管特点
较低噪音和良好的线性
光谱范围800-1800nm
良好的动态范围
可装配到单色仪上
锗探测器的有效探测区域直径高达5mm

硅光电二极管规格参数

材料类型
有效面积 5mm直径
光谱范围 800-1800nm
工作模式 光伏
峰值波长 (typ.) 960 nm
暗电流 (typ.) <1pA 
Shunt Resistance 15KΩ
峰值波长 1500nm
峰值响应 0.9A/W
NEP 1.5 x 10-12 W.Hz-1/2
工作温度范围 -20°C ~ +60°C
连接头 BNC
兼容性 可根据配备法兰方便安装, 4 x M3 通孔
尺寸 80L x 50W x 18H (mm)

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