锗光电二极管

这款锗光电二极管采用高纯锗晶体制作，锗光电管作为锗光电探测器使用具有良*的线性和比InGaAs探测器*宽的响应光谱范围。波长范围800-1800nm。

型号：

FPBEN-DH-Ge

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商品详情

这款锗光电二极管采用高纯锗晶体制作，锗光电管作为锗光电探测器使用具有良*的线性和比InGaAs探测器*宽的响应光谱范围。
锗光电二极管带有一个直径为5mm的有源区锗光电二极管（800-1800nm）在光伏模式下工作。该探测器产生的光电流****用487皮安计或477前置放大器和496锁定放大器测量。
锗光电二极管还可提供安装法兰方便安装耦合。
锗光电二极管*点
较低噪音和良*的线性
光谱范围800-1800nm
良*的动态范围
可装配到单色仪上
锗探测器的有效探测区域直径高达5mm

硅光电二极管规格参数

材料类型	锗
有效面积	5mm直径
光谱范围	800-1800nm
工作模式	光伏
峰值波长 (typ.)	960 nm
暗电流 (typ.)	<1pA
Shunt Resistance	15KΩ
峰值波长	1500nm
峰值响应	0.9A/W
NEP	1.5 x 10^-12 W.Hz^-1/2
工作温度范围	-20°C ~ +60°C