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  • GAGG:Ce探测器 FPCRY-G4S

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    GAGG:Ce探测器是采用GAGG+闪烁体和SiPM光电倍增管组成的GAGG闪烁探测器,可替代NaI:TI掺铊碘化钠探测器。
  • 劳厄法晶体定向仪 FPPUL-S-Laue

    品牌:进口 价格:0.00
    劳厄法晶体定向仪是为单晶定向设计的劳埃X射线晶体定向仪器。
  • 劳厄单晶定向仪 FPMUL-mwl120

    品牌:进口 价格:0.00
    劳厄单晶定向仪是为晶体定向和表征单晶设计的实时Laue相机。劳厄单晶定向系统快速且容易地定向单晶。使用操纵杆控制的电动载物台操纵晶体样品的方向,并在计算机监视器上实时观察衍射图案的移动,以快速表征或确定晶体晶格平面的方向。
  • 台式薄膜沉积系统为是模块化的PVD系统,为您的研究和实施应用提供了多种沉积选项。可装配电子束蒸发源E-beam,ORCA低温蒸发源,热蒸发源,磁控溅射等。
  • 太阳能电池单面干法刻蚀机是专业为晶圆刻蚀设计的干法蚀刻机。
  • 光束线同步PLD系统,新型脉冲激光沉积系统适合原位同步衍射/散射研究,精确了解影响薄膜界面形成和生长的机制。同步辐射X射线衍射和反射是研究薄膜结构和界面的一种重要方法。然而,至关重要的是,这些样品不能暴露在大气中,因为即使是亚单层污染也可能破坏表面效应或改变薄膜。
  • 超高真空激光分子束外延集群系统 laser cluster将不同的薄膜和分析技术结合成一个强大的系统。***多可将七个单独的腔室连接到中央传输模块,从而在超高真空条件下实现复杂的处理
  • 激光分子束外延系统Laser MBE是新型激光薄膜制备技术设备,它集成了普通分子束外延(MBE)的超高真空、原位监测的*点和脉冲激光沉积(PLD)的易于控制化学组分的*点。
  • 脉冲激光沉淀系统工作站PLD是终极氧化还原系统,脉冲激光沉积(PLD)是一种用于薄膜沉积的多用途工艺,其主要*点是将化学计量的材料从靶转移到衬底。
  • 电子束蚀刻机,电子束光刻机NanoBeam nB5是纳米级刻蚀机,非常适合纳米技术和芯片的制造研发。
  • ​​​​​​​感应耦合反应离子刻蚀系统ICPRIE由射频电源感应产生等离子体,以产生各向异性蚀刻。在基本ICP-RIE蚀刻系统中,射频直接连接到用作电极的样品台,产生各向同性等离子体。ICPRIE刻蚀系统有时被称为桶型蚀刻机。
  • 反应离子刻蚀系统​​​​​​​RIE600W是一款进口等离子体反应离子蚀刻机,用于各向同性蚀刻,蚀刻氧化物、氮化物、聚合物等薄膜。等离子体蚀刻系统可容纳直径达200mm的晶片样品。我们的定制的反应离子刻蚀系统可根据几何形状和研究需要处理各种样品尺寸。
  • 电子束-电阻热蒸发复合镀膜系统集合了电子束沉积镀膜和电阻式热蒸发镀膜沉积功能,
  • 真空电阻式热蒸发镀膜机CRTE & THE是***具成本效益的真空沉积镀膜技术之一,热蒸发在沉积有机材料如OLED(有机发光二极管)方面有许多应用。
  • 电子束蒸发系统 FPTOR-EB-4P

    品牌:进口 价格:0.00
    电子束蒸发系统EB-4P也是电子束沉积系统,有四个容量不同的袖珍坩埚和各种电源,可以添加热阻源或直流和射频溅射或蚀刻。电子束蒸发系统EB-4P是纳米技术、光学、显微镜、分子束外延、功能和装饰涂层等应用中沉积金属、氧化物、磁性材料和电介质的理想选择。
  • 离子束沉积系统 FPTOR-IBD

    品牌:进口 价格:0.00
    离子束沉积系统IBD采用真空沉积工艺,使用直接聚焦在溅射靶上的宽束离子源实现离子束沉积溅射镀膜。然后,来自靶材的溅射材料沉积在附近的衬底上形成薄膜。
  • 磁控溅射系统 FPTOR-MagSput

    品牌:进口 价格:0.00
    磁控溅射系统MagSput™是下一代磁控溅射沉积系统,实用性腔,可扩展性高,且高度可靠,非常适合磁控溅射镀膜科学研究。
  • 多功能物理气相沉积平台可搭载溅射,热蒸发,电子束蒸发,等离子体和离子束处理功能模块,是多功能PVD系统。允许*大的腔室投掷距离,并能够适应*多工艺增强。
  • COVAP物理气相沉积系统为许多工艺应用提供紧凑、经济、但仍然稳健的PVD解决方案。专为需要安全可靠PVD的实验室而设计,该COVAP物理气相沉积系统可在紧凑的实验室内生产可重复的高质量薄膜。
  • ALD系统 FPANR-AT410

    品牌:进口 价格:0.00
    ALD系统AT410提供了用于3D样品制备的共形导电薄膜解决方案,同时还提供了目前使用溅射/蒸发生长的传统2D涂层。ALD系统AT410不仅推动了边界,而且是当前样品制备过程的有效替代品,所有样品制备都在可比价格点的台式配置内。
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