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 激光二极管叠层阵列
  • 激光二极管叠层阵列VSxx-Y采用垂直堆叠半导体激光列阵巴条和主动冷却技术-孚光精仪

激光二极管叠层阵列

这款激光二极管叠层阵列采用垂直堆叠半导体激光列阵巴条和主动冷却技术,可在连续CW模式下输出120W功率,可提供808nm,915nm,904nm,976nm和980nm激光波长。
型号:
FPAPO-VS-CW
品牌:
价格:
¥0.00
类别:
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  • 商品详情
这款激光二极管叠层阵列采用垂直堆叠半导体激光列阵巴条和主动冷却技术,可在连续CW模式下输出120W功率,可提供808nm,915nm,904nm,976nm和980nm激光波长。
激光二极管叠层阵列采用主动制冷技术,使用微通道激光二极管列阵,可采用去离子水循环冷却,非常适合工业激光应用。
激光二极管叠层阵列特点
高功率
寿命长
光束质量好
CW连续激光模式
现款现货
激光二极管叠层阵列应用
DPSSL半导体泵浦固体激光器泵浦
光纤激光器泵浦
焊接
材料热处理
光胶固化
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激光二极管叠层阵列规格参数
型号 VSxx-Y
-60-808-1
VSxx-Y
-60-808-2
VSxx-Y
-60-808-3
VSxx-Y
-80-808
VSxx-Y
-100-808-1
VSxx-Y
-100-808-2
中心波长 808 ±3nm 808 ±3nm 808 ±3nm 808 ±3nm 808 ±3nm 808 ±3nm
输出光功率 60W 60W 60W 80W 100W 100W
巴条数 2~25 2~25 2~25 2~25 2~25 2~25
巴条间距 1.8mm 1.8mm 1.8mm 1.8mm 1.8mm 1.8mm
Fill factor 20% 30% 50% 50% 50% 50%
发射体个数 19 19 47 47 25 47
发射体宽度 100μm 150μm 100μm 100μm 200μm 100μm
光谱带宽FWHM ≤3nm ≤3nm ≤3nm ≤3nm ≤3nm ≤3nm
光谱带宽FW90%E ≤6nm ≤6nm ≤6nm ≤6nm ≤6nm ≤6nm
快轴发散角 35度 35度 35度 35度 35度 35度
慢轴发散角 8度 8度 8度 8度 8度 8度
偏振模式 TM TE/TM TE TE TE TE
波长温度系数 ~0.28nm/℃ ~0.28nm/℃ ~0.28nm/℃ ~0.28nm/℃ ~0.28nm/℃ ~0.28nm/℃
工作电流Iop ≤65A ≤70A ≤70A ≤88A ≤110A ≤110A
阈值电流Ith ≤10A ≤11A ≤18A ≤22A ≤25A ≤21A
工作电压Vop ≤2V ≤2V ≤2V ≤2V ≤2V ≤2V
斜效率 ≥1.1W/A ≥1.1W/A ≥1.1W/A ≥1.1W/A ≥1.1W/A ≥1.1W/A
功耗效率 ≥50% ≥50% ≥48% ≥50% ≥50% ≥50%
工作温度 15-35℃ 15-35℃ 15-35℃ 15-35℃ 15-35℃ 15-35℃
存储温度 -40~60℃ -40~60℃ -40~60℃ -40~60℃ -40~60℃ -40~60℃
制冷介质 去离子水 去离子水 去离子水 去离子水 去离子水 去离子水
流量/巴条 0.25~0.3L/min 0.25~0.3L/min 0.25~0.3L/min 0.25~0.3L/min 0.25~0.3L/min 0.25~0.3L/min
最大输入压力 380kPa 380kPa 380kPa 380kPa 380kPa 380kPa
电导率要求 0.2~0.5Ω-cm 0.2~0.5Ω-cm 0.2~0.5Ω-cm 0.2~0.5Ω-cm 0.2~0.5Ω-cm 0.2~0.5Ω-cm
激光二极管叠层阵列规格参数
型号 VSxx-Y
-80-915
VSxx-Y
-80-940
VSxx-Y
-120-940
VSxx-Y
-80-976-1
VSxx-Y
-80-976-2
VSxx-Y
-120-980
中心波长 915 ±3nm 940 ±3nm 940 ±10nm 976 ±3nm 976 ±3nm 980 ±10nm
输出光功率 80W 80W 120W 80W 80W 120W
巴条数 2~25 2~25 2~25 2~25 2~25 2~25
巴条间距 1.8mm 1.8mm 1.8mm 1.8mm 1.8mm 1.8mm
Fill factor 20% 20% 50% 20% 30% 50%
发射体个数 19 19 25 19 19 25
发射体宽度 100μm 100μm 200μm 100μm 150μm 200μm
光谱带宽FWHM ≤4nm ≤4nm ≤4nm ≤4nm ≤4nm ≤4nm
光谱带宽FW90%E ≤7nm ≤7nm ≤6nm ≤7nm ≤7nm ≤6nm
快轴发散角 35度 35度 35度 35度 35度 35度
慢轴发散角 8度 8度 8度 8度 8度 8度
偏振模式 TM TE TE TE TE TE
波长温度系数 ~0.31nm/℃ ~0.32nm/℃ ~0.32nm/℃ ~0.34nm/℃ ~0.34nm/℃ ~0.32nm/℃
工作电流Iop ≤80A ≤82A ≤120A ≤80A ≤84A ≤120A
阈值电流Ith ≤8A ≤7.5A ≤20A ≤7A ≤9A ≤20A
工作电压Vop ≤2V ≤2V ≤1.8V ≤2V ≤2V ≤1.8V
斜效率 ≥1.1W/A ≥1.1W/A ≥1.1W/A ≥1.0W/A ≥1.05W/A ≥1.1W/A
功耗效率 ≥55% ≥55% ≥52% ≥55% ≥55% ≥52%
工作温度 15-35℃ 15-35℃ 15-35℃ 15-35℃ 15-35℃ 15-35℃
存储温度 -40~60℃ -40~60℃ -40~60℃ -40~60℃ -40~60℃ -40~60℃
制冷介质 去离子水 去离子水 去离子水 去离子水 去离子水 去离子水
流量/巴条 0.25~0.3L/min 0.25~0.3L/min 0.25~0.3L/min 0.25~0.3L/min 0.25~0.3L/min 0.25~0.3L/min
最大输入压力 380kPa 380kPa 380kPa 380kPa 380kPa 380kPa
电导率要求 0.2~0.5Ω-cm 0.2~0.5Ω-cm 0.2~0.5Ω-cm 0.2~0.5Ω-cm 0.2~0.5Ω-cm 0.2~0.5Ω-cm

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