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叠层半导体激光器-808nm-250W
  • 叠层半导体激光器G-Stack采用垂直堆叠激光二极管阵列巴条技术-孚光精仪

叠层半导体激光器-808nm-250W

叠层半导体激光器采用垂直堆叠激光二极管阵列巴条技术,可在准连续QCW模式下输出250W功率,可提供808nm和904nm激光波长。
型号:
FPAPO-G-Stack
品牌:
价格:
¥0.00
类别:
在线客服邮箱 info@felles.cn 服务热线021-51300728 您也可网站留言或在线客服留言垂询,孚光精仪-领先的进口精密仪器服务商欢迎您!

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  • 商品详情
叠层半导体激光器采用垂直堆叠激光二极管阵列巴条技术,可在准连续QCW模式下输出250W功率,可提供808nm和904nm激光波长。
叠层半导体激光器采用免维护设计和领先的被动冷却技术,没有使用微通道激光二极管列阵,从而不需要使用去离子水循环冷却,非常适合工业激光应用。
叠层半导体激光器特点
高功率,免维护
寿命长
杂散光小
适合恶劣环境使用
QCW准连续激光模式
现款现货
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叠层半导体激光器应用
DPSSL半导体泵浦固体激光器泵浦
光纤激光器泵浦
焊接
材料热处理
光胶固化
叠层半导体激光器规格参数
型号 GSxx-Y
-150-808(Q)
GSxx-Y
-200-808(Q)
GSxx-Y
-250-808(Q)
中心波长 808 ±3 nm 808 ±3 nm 808nm±3nm
输出光功率 150W 200W 250W
巴条数 1-12个 1-12个 1-12个
光谱带宽FWHM ≤6nm ≤5nm ≤5nm
光谱带宽FW90%E ≤8nm ≤7nm ≤8nm
偏振模式 TE TE TE
波长温度系数 ~0.28nm/℃ ~0.28nm/℃ ~0.33nm/℃
工作电流Iop ≤160A ≤200A ≤250A
阈值电流Ith ≤20A ≤30A ≤30A
工作电压Vop ≤2V ≤2V ≤2V
斜效率 ≥1.1W/A ≥1.1W/A ≥1.1W/A
功耗效率 ≥50% ≥50% ≥50%
脉宽 ≤0.3ms ≤0.3ms ≤0.3ms
占空比 ≤1% ≤1% ≤1%
工作温度 15-25℃ 15-25℃ 15-25℃
存储温度 -40~60℃ -40~60℃ -40~60℃
建议热沉功率 ≥6W ≥8W ≥10W

 

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