叠层半导体激光器-808nm-250W

叠层半导体激光器采用垂直堆叠激光二极管阵列巴条技术,可在准连续QCW模式下输出250W功率,可提供808nm和904nm激光波长。

型号：

FPAPO-G-Stack

品牌：

价格：

￥0.00

类别：

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商品详情

叠层半导体激光器采用垂直堆叠激光二极管阵列巴条技术,可在准连续QCW模式下输出250W功率,可提供808nm和904nm激光波长。
叠层半导体激光器采用免维护设计和**的被动冷却技术，没有使用微通道激光二极管列阵，从而不需要使用去离子水循环冷却,非常适合工业激光应用。
叠层半导体激光器特点
高功率,免维护
寿命长
杂散光小
适合恶劣环境使用
QCW准连续激光模式
现款现货
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叠层半导体激光器应用
DPSSL半导体泵浦固体激光器泵浦
光纤激光器泵浦
焊接
材料热处理
光胶固化
叠层半导体激光器规格参数

型号	GSxx-Y -150-808(Q)	GSxx-Y -200-808(Q)	GSxx-Y -250-808(Q)
中心波长	808 ±3 nm	808 ±3 nm	808nm±3nm
输出光功率	150W	200W	250W
巴条数	1-12个	1-12个	1-12个
光谱带宽FWHM	≤6nm	≤5nm	≤5nm
光谱带宽FW90%E	≤8nm	≤7nm	≤8nm
偏振模式	TE	TE	TE
波长温度系数	~0.28nm/℃	~0.28nm/℃	~0.33nm/℃
工作电流Iop	≤160A	≤200A	≤250A
阈值电流Ith	≤20A	≤30A	≤30A
工作电压Vop	≤2V	≤2V	≤2V
斜效率	≥1.1W/A	≥1.1W/A	≥1.1W/A
功耗效率	≥50%	≥50%	≥50%
脉宽	≤0.3ms	≤0.3ms	≤0.3ms
占空比	≤1%	≤1%	≤1%
工作温度	15-25℃	15-25℃	15-25℃
存储温度	-40~60℃	-40~60℃	-40~60℃
建议热沉功率	≥6W	≥8W	≥10W