| 衬底尺寸和类型 | 50 – 200 mm /单片 |
| zui大可沉积直径150 mm基片,竖直放置,10-25片/批次(根据工艺) | |
| 156 mm x 156 mm 太阳能硅片 | |
| 3D 复杂表面衬底(使用Showerhead喷洒淋浴模式效果*佳) | |
| 粉末与颗粒(配备扩散增强器) | |
| 多孔,通孔,高深宽比(HAR)样品 | |
| 工艺温度 | 50 – 500 °C, 可选*高温度(真空腔体外壁不用任何冷却方式即可保持温度低于60 °C) |
| 基片传送选件 | 气动升降(手动装载) |
| 预真空室安装磁力操作机械手(Load lock ) | |
| 前驱体 | 液态、固态、气态、臭氧源 |
| 4根du立源管线,zui多加载6个前驱体源 | |
| 对蒸汽压低的前驱体(1mbar~10mbar),用氮气等载气dao入前驱体瓶内引出 | |
| 重量 | 350kg |
| 尺寸( W x H x D)) | 取决于选件 |
| zui小146 cm x 146 cm x 84 cm | |
| zui大189 cm x 206 cm x 111 cm | |
| 选件 | PICOFLOW™扩散增强器,集成椭偏仪,QCM, RGA,N2发生器,尾气处理器,定制设计,手套箱集 |
| 成(用于惰性气体下装载)。 | |
| 验收标准 | 标准设备验收标准为 Al2O3 工艺 |
| 材料 | 非均匀性(1σ) |
| AI2O3 (batch) | 0.13% |
| SiO2 (batch) | 0.77% |
| TiO2 | 0.28% |
| HfO2 | 0.47% |
| ZnO | 0.94% |
| Ta2O5 | 1.00% |
| TiN | 1.10% |
| CeO2 | 1.52% |
| Pt | 3.41% |
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