ALD系统

ALD系统AT410提供了用于3D样品制备的共形导电薄膜解决方案，同时还提供了目前使用溅射/蒸发生长的传统2D涂层。ALD系统AT410不仅推动了边界，而且是当前样品制备过程的有效替代品，所有样品制备都在可比价格点的台式配置内。
用于电子显微镜的样品通常受益于添加薄膜。它通常是导电材料，如Pt、Pd或Au。这些导电层有助于抑制充电，减少局部束加热造成的热损伤，并改善二次电子信号。传统上，这些薄膜是使用PVD技术生长的。随着技术的进步，某些类型的样品不适用于PVD，因为需要涂层的*征不适用于现场生长线。
研究人员将受益于获得通过ALD生长的导电薄膜，因为已经开发了一种*化小样本导电金属生长的系统。
ALD系统AT410*点
适合4''样品
压力可控0.1-1.5TORR
满足小样品镀膜需要
7''触摸屏 PLC控制系统
精密以规定剂量体积给料系统
所有金属密闭系统
ALD系统AT410规格参数
腔体温度范围：室温~325℃± 1 °C
Precursor前体温度：室温RT~150 °C ± 2 °C
流线型腔室设计，腔室体积小
快速循环能力（高达1.2nm/min Al2O3）和高曝光、深穿透处理
ALD系统AT410可沉积材料

MATERIAL CLASS	STANDARD RECIPES	RECIPES IN DEVELOPMENT	SYSTEM CAPABLE MATERIALS
Oxides (AxOy)	Al, Si, Ti, Zn, Zr, Hf	V, Y, Ru, In, Sn, Pt	Li, Be, Mg, Ca, Sc, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ga, Sr Nb, Rh, Pd, Sn, Ba, La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd
Elementals (A)	Ru, Pd, Pt, Ni, Co	Rh, Os, Ir	Fe, Cu, Mo
Nitrides (AxNy)	Zr, Hf, W	Ti, Ta	Cu, Ga, Nb, Mo, In
Sulfides (AxSy)			Ca, Ti, Mn, Cu, Zn, Sr, y, Cd, In, Sn, Sb, Ba, La, W
Other Compounds	AZO (AL:ZnO), AxSiyOz ()A=Al, Zr, Hf	YSZ (yttria stabilized sirconia) ITO	Many others