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三腔室分子束外延系统
  • 三腔室分子束外延系统_异质结材料MBE生长设备带有三个MBE分子束外延生长腔室-孚光精仪

三腔室分子束外延系统

三腔室分子束外延系统是带有三个MBE分子束外延生长腔室的异质结材料MBE生长设备,可用于在高达∅100mm的衬底上以及三个2英寸以上衬底上一次精确生长外延层,获得极*的厚度和均匀性能。三腔室分子束外延系统使用PA-МВЕ和NH3-MBE特殊型号的MBE生长设备,可生长InAlGaAsSb或InGaAlN外延异质结构。
型号:
FPSEM-STE35
品牌:
价格:
¥0.00
类别:
在线客服邮箱 info@felles.cn 服务热线021-2279 9028 您也可网站留言或在线客服留言垂询,孚光精仪-**的进口激光精密科学仪器服务商欢迎您!

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三腔室分子束外延系统是带有三个MBE分子束外延生长腔室的异质结材料MBE生长设备,可用于在高达100mm的衬底上以及三个2英寸以上衬底上一次精确生长外延层,获得极*的厚度和均匀性能。
三腔室分子束外延系统使用PA-МВЕNH3-MBE特殊型号的MBE生长设备,可生长InAlGaAsSbInGaAlN外延异质结构。
在使用其他制造商的扩散池时,由于改变了“源到衬底”的距离(晶圆和加热器同时进行独特的垂直移动),因此可以进行额外的均匀性*化。
三腔室分子束外延系统是一个三室超高压系统,包括单独泵送的生长室、用于预生长准备的缓冲/放气室和负载锁定室。所有腔室通过真空门和普通的半自动基板转移系统连接。生长过程由基于原有软件的自动化系统控制。它允许控制过程手动或在自动模式下使用编程配方。
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三腔室分子束外延系统基本配置:
•具有垂直生长几何结构的生长室,通过离子/低温泵(用于常规III Vs)或TMP/C Ryopump(用于III氮化物)和钛升华泵进行泵送
10×63CF孔,用于带百叶窗的渗出池,1个中心63CF孔和***多3×40CF无百叶窗的外部孔,用于V组材料阀门裂解器或气源;红外高温计或激光干涉测量孔
•通过生长室上的几个视口可以看到所有渗出细胞孔
•单个液氮冷冻板,有效包围生长体积(NH3-MBE生长操纵器的附加冷冻板)
•基于PBN/PG/PBN的生长机械手加热元件,具有高均匀性和快速上下动态
•一套分子源,包括5个渗出细胞和V组的源(带阀裂解器、氮等离子体源或氨注入器)
•***高基板温度-不低于900°С(NH3-MBE不低于1200°С)
•现场监测工具:RHEED、红外高温计、RGA和激光干涉仪(用于III氮化物生长)
•准备室,带有用于基板支架(7个)和晶片脱气台的存储盒,原子氢源专用端口
•带储物盒的装载锁室,用于基板支架(8个),带有配备手套箱的快速检修门
•一套基板支架
•适当的超高压仪表
•烘烤系统(高达200°C),无热点形成
•控制电子设备
•基于原始软件的过程控制系统
三腔室分子束外延系统主要*势:
•“实验室到工厂”的概念,允许开展从基础研究到异质结构试生产的活动
•铝(冷唇)专用渗出细胞,操作稳定,镓(热唇)提供低椭圆形缺陷密度
•在系统基本配置中对生长过程进行现场监测的所有必要工具
•特别设计的生长操纵器,提供高温均匀性和加热/冷却速率动态
•安装期间的有效技术支持,包括基本工艺转移
•简单的系统操作和定期的技术维护
三腔室分子束外延系统参数:
烘烤后生长室的***终真空度,Torr <5×10-11
***大基板直径,mm 1003×2block
100mm晶圆的厚度和复合不均匀度,% ±1
“源到基片”距离,mm 135÷210
渗出细胞百叶窗设计 基于磁耦合旋转运动的无冲击驱动旋转机构
百叶窗叶片材料 钽、钼或PBN(可选)
生长机械手加热元件的设计 PBN/PG/PBN
生长操纵器的***高工艺温度,不低于,℃ 900
NH3-MBE1200
准备室中基板脱气温度,不低于,℃ 650
III氮化物为1100
生长室烘烤温度,不低于,℃ 200
离子泵容量,不小于,l/s
–生长室(III-NTMP
–准备室
–负载锁定

800 (2000)
500
300

 

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