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C-V/I-V特性测试仪
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C-V/I-V特性测试仪

C-V/I-V特性测试仪是为半导体C-V特性分析测试和I-V特性测试分析设计的C-V/I-V测试系统。C-V/I-V特性测试仪具有较高的C-V测试精度,提供流线型C-V曲线和偏置温度压力程序,方便用户使用,点击鼠标就可测量C-V曲线,显示所有C-V曲线绘图和测试结果。密码保护功能允许使用人员预设所有C-V测试结果和压力测试周期。测试结果可保存起来用于后来分析。
型号:
FPMDC-C-V
品牌:
价格:
¥0.00
类别:
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C-V/I-V特性测试仪是为半导体C-V特性分析测试和I-V特性测试分析设计的C-V/I-V测试系统。
C-V/I-V特性测试仪具有较高的C-V测试精度,提供流线型C-V曲线和偏置温度压力程序,方便用户使用,点击鼠标就可测量C-V曲线,显示所有C-V曲线绘图和测试结果。密码保护功能允许使用人员预设所有C-V测试结果和压力测试周期。测试结果可保存起来用于后来分析。
C-V/I-V特性测试仪
C-V/I-V特性测试仪功能

提供Swept,Retrace或Pulsed模式,可以检测C-V/I-V特性测试仪在不同情况下的性能。
Swept模式:测试衬底的掺杂,平带电压,阈值电压,流动离子浓度等。独具“闪光”和“稳定”功能可达到平衡反转电容。
电导率测量:测量电导率和电容测量真实的器件电容值和耗尽区电导。
掺杂曲线:可把C-V曲线数据转换成“掺杂曲线”,这种掺杂曲线非常适合低掺杂离子注入监测。
C-V/I-V特性测试仪规格参数
PN结掺杂分布:范围1x10^13离子/cm^3到1x10^18离子/cm^3,深度0.01微米~100微米。
                           深度和掺杂范围由零偏压耗尽宽度,击穿电压和仪器电压范围决定。
                           典型值:1x10^15离子/cm^3,深度:1~17微米
                                         1x10^16离子/cm^3,深度:0.33~2.5微米
                           精度:典型+/-2%
MOS掺杂分布:范围2x10^14离子/cm^3到5x10^17离子/cm^3,深度0.01微米~10微米。
                           深度和掺杂范围由击穿电压,氧化层击穿和仪器电压范围决定。
                           典型值:1x10^15离子/cm^3,深度:0.01~5微米
                                         1x10^16离子/cm^3,深度:0.01~2微米
                           精度:典型+/-5%
植入剂量计算:  范围5x10^10离子/cm^2到5x10^12离子/cm^2,
                           精度:典型+/-8%
寿命:                范围0.1微秒~0.1秒
                           典型值:100~1000微秒
                           精度:典型+/-8%
平带电压偏移:  范围:0.005V~50V
                           典型值:0.05V~0.2V
                           精度:+/-2%
流动离子电荷浓度:范围1x10^10离子/cm^2到1x10^13离子/cm^2
                           典型值:2x10^10离子/cm^2/eV
                           精度:典型+/-2%,+/-1x10^10离子/cm^2
界面陷阱密度:范围2x10^9离子/cm^2/eV到1x10^12离子/cm^2/eV
                           典型值:3x10^10离子/cm^2
                           精度:典型+/-7%,+/-3x10^9离子/cm^2/eV
C-V特性              范围:+/-100V,+/-10fA ~+/-1mA
                           精度:+/-1%
结二极管参数:  范围:Rs0.1~1000欧姆,Is:1x10^-3 ~ 1x 10^-8安培, n:1.0~2.0
                           典型值:Rs 2欧姆, Is 1x10^-11安培, n:1.2
                           精度:+/-5%
氧化物击穿场     范围:0~20MV/cm
                           典型值:8MV/cm
                           精度:+/-5%.

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