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  • 光源蓝光危害测试仪ISR300-PSL是为光源灯具蓝光危害评估测试设计的光谱辐照仪器,帮助灯具制造商和研发机构快速测试评估光源灯具蓝光危害性。
  • 光生物安全性测试仪是为灯具光源的光生物安全性测量分析设计的光生物安全性测量仪器,帮助制造商或评估机构更快地获得灯具光源的光生物安全性数据。
  • 光源频闪分析仪是为灯具频闪分析设计的灯具频闪测量仪,帮助光源制造商深入了解光源频闪问题。光源频闪分析仪由一个紧密匹配的光度检测器、高速放大器和数据采集组成,提供频闪百分比、频率和指数等频闪指标。
  • 全波段太阳光谱辐射计是为太阳光谱辐射测量而设计研发的280nm~2500nm宽范围光谱辐射测量系统。采用热控制、环境密封外壳内的双光谱辐射计组成,提供可靠、高精度的紫外-可见-红外光谱辐射测量。
  • 太阳紫外辐射测量系统是为太阳紫外线辐射分析测量设计的太阳紫外线辐照测量系统,采用双光谱辐射计结构,提供可靠、高精度的太阳紫外线测量.
  • 显示器视觉特性测量仪是为显示器视觉特性分析测试设计的光谱辐射计,提供高动态范围显示特性和较高测量精度。
  • 这款晶圆热退火炉是半导体晶片惰性气氛快速热退火系统,适合晶圆的最大直径为100mm,晶圆通过上部快速检修门手动装入腔室,并放置在热补偿石墨台上。加热器系统基于线性卤素灯,位于炉体下方。这种设计确保了均匀的晶圆加热,沿晶圆表面具有红外发射的非均匀吸收(例如,具有成形金属拓扑结构的晶圆)。
  • 这款半导体经晶圆热处理系统是为半导体晶圆在可控气体、真空、氧化或还原气氛中的晶圆高温处理系统,可对晶圆真空退火,氧气退火处理。 铝室的特殊设计允许在极高温度(高达1300°С)下进行热退火,并结合长时间退火(高达60分钟)。
  • 等离子体增强化学气相沉积系统是采用PECVD技术专业为介质膜镀膜设计的化学气相沉积设备。
  • 电感耦合等离子体化学气相沉积系统是为等离子化学蚀刻系统应用设计的反应离子蚀刻RIE和ICPCVD系统,将反应离子刻蚀RIE和电感耦合等离子体刻蚀ICP两种等离子体化学刻蚀模式相结合.
  • 电子束蒸发系统是按照“从实验室到工厂”的方法设计的电子束镀膜蒸发系统,既适用于密集的研发活动,也适用于中试生产。考虑到“提离”工艺的具体特点,该电子束蒸发系统适用于直径不超过200mm的单晶片以及安装在球形型材支架上的3×∅3“或6×∅2”晶片的沉积。
  • 磁控溅射物理气相沉积是多功能高压PVD系统,用于磁控溅射和多组分薄膜的热蒸发,用于批量晶圆物理气相沉积加工.
  • 这款高压PVD系统配置适合在晶圆溅射金属膜,磁性材料,多组分氧化物,得益于它灵活的配置和特殊的晶圆加热器设计,PVD可以在温度最高900℃的衬底上溅射金属膜层和磁性材料,最大容纳晶圆直径为150mm,订制后最大可容纳200mm直径晶圆。
  • 这款混合异质结构分子束外延系统具有双反应器,非常适合А3В5和А2В6异质结构生长应用,也可用于epi晶圆研发和试生产。
  • 三腔室分子束外延系统是带有三个MBE分子束外延生长腔室的异质结材料MBE生长设备,可用于在高达∅100mm的衬底上以及三个2英寸以上衬底上一次精确生长外延层,获得极好的厚度和均匀性能。三腔室分子束外延系统使用PA-МВЕ和NH3-MBE特殊型号的MBE生长设备,可生长InAlGaAsSb或InGaAlN外延异质结构。
  • 这款III族氮化物分子束外延系统专业为A3N材料生长设计的MBE设备,适合氨气高温下制备生长A3N半导体材料,提供非常广泛的可用生长参数(有效氮通量、衬底温度、生长过程中的真空度)。III族氮化物分子束外延系统设计在衬底上提供极高的温度(>1200℃)以及在长生长周期中加热阶段的可靠工作。利用氨作为活性氮源,可以生长出高质量、厚的AlN/AlGaN缓冲层。这项技术的结果是生长出位错密度极低的活性层,为分子束外延(MBE)创造了记录。
  • 这款多功能紧凑型MBE系统具有三个腔室,适合用于А3В5, 宽带А2В6  和А3N 化合物(订制版本)的生长,MBE系统设计吸收了这些材料系统中分子束外延的最新成果,非常适合用于半导体材料领域中基于А3В5 宽带А2В6和III氮化物的材料生长研发。
  • 这款VUV罗兰圆光栅光谱仪在圆柱形罗兰表面放置了一个特殊的MCP探测器,非常适合采集时间分辨率VUV光谱和时间分辨真空紫外光谱。
  • EUV等离子体光谱仪是专业为光谱范围高达40nm的EUV等离子体特性测量而开发的VUV光谱仪,非常适合用作真空紫外焦光入射光谱仪单色仪。
  • X射线光谱仪 FPIST-HD-1

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    这款X射线光谱仪是紧凑而灵敏的X射线分光摄谱仪器,适合低强度X射线辐射源的绝对光谱测量、X射线荧光分析、EXAFS等科研应用,可绝对校准标定,具有宽光谱范围和较高光谱分辨率的优势。非常适合低强度X射线辐射源的绝对光谱测量、X射线荧光分析、EXAFS等应用。
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